存储 / HBM：美光市值超过三星，这个环节正在重排座次

15 家公司合计 4.15 万亿美元，占全榜 16.5%——是除 GPU 之外第二大的环节。而且它是过去一段时间里，全链价格弹性最猛的一块。

这个环节收哪些公司

存储原厂——美光（MU）、三星电子（005930.KS）、SK 海力士（000660.KS）、铠侠（285A.T）、闪迪（SNDK）、西部数据（WDC）。

存储模组与主控——江波龙（301308）、佰维存储（688525）、德明利（001309）、香农芯创（300475）、兆易创新（603986，NOR Flash + DRAM 利基）。

HBM 设备与材料——韩美半导体（042700.KS，TC Bonder）、利诺工业（058470.KS）。

接口与配套芯片——聚辰股份（688123，SPD EEPROM）、北京君正（300223，车规存储）。

三星和 SK 海力士同国同业，市值差了近 1,990 亿美元（1.20 万亿 vs 9,986 亿）——因为三星的市值里还装着手机、面板、家电，存储只是其中一块。榜上的三星，不是一家纯粹的存储公司。

市值格局：三家原厂占 82.2%

第一名是美光，不是三星——这个排名本身就值得看两眼。

美光（1.21 万亿）略超三星（1.20 万亿），两者领先 SK 海力士（9,986 亿）约 2,000 亿美元。三家的座次能在半年内互换，说明市场对"谁在 HBM 上占的份额更多"这件事，定价极其敏感——HBM 的单价是常规 DRAM 的好几倍，HBM 占比每提升一个百分点，对利润的影响都远大于常规出货量的波动。

一个中性判断：美光和 SK 海力士的市值里，AI 含量显著高于三星。三星的价值要靠手机、代工、面板一起来支撑，而美光和 SK 海力士的股价走势，几乎就是 HBM 景气的直接映射。

HBM 是怎么把存储变成一个"AI 环节"的

传统存储是周期股：涨价扩产、扩产过剩、过剩跌价。这个循环几十年没变过。

HBM 改变了三件事：

第一，产能互换。 HBM 的生产占用的晶圆面积和工序远超常规 DRAM。一块晶圆拿去做 HBM，就少做一块常规 DRAM。这是过去两年常规 DRAM/NAND 全面涨价的直接原因——不是需求突然暴增，而是产能被 HBM 抽走了。这个机制意味着：只要 HBM 需求在涨，常规存储的价格就下不来。

第二，技术门槛上移。 HBM 涉及 TSV 硅通孔、堆叠键合、良率控制，能稳定出货的只有三家。技术门槛越高，周期波动中的利润留存就越厚。

第三，和代工的绑定。 新一代 HBM 开始把 base die 交给晶圆代工厂定制（台积电），存储厂和代工厂的关系从"互不相关"变成"上下游"。

中国大陆的位置：在原厂之外

A 股这个环节的公司合计约 1,100 亿美元，占环节 2.7%，而且全部在原厂之外的环节——模组、主控、利基存储、接口芯片。

这七家的商业模式跟原厂完全不是一回事：

模组厂是"价的弹性"。江波龙、佰维、德明利赚的是"低价库存 + 涨价出货"的价差。涨价周期里弹性极大，跌价周期里库存立刻变包袱。看它们要看存货周转和库存成本，不是营收增速。

利基存储是"量+价的混合"。兆易创新在 NOR Flash 上是全球前列，这块市场小但格局稳。DRAM 方面做的是利基型（DDR3 等），跟三星、美光的重心不在一个赛道。

接口芯片是"被动受益"。聚辰的 SPD EEPROM 每根内存条都要用一颗，出货量随内存条数量走。这是最"稳"的一种受益方式——不赌价格，赌数量。

三个跟踪变量

第一，HBM 的代际切换节奏。 HBM4 的导入时间表、客户认证进度，直接决定三家原厂下一轮的份额分配。代际切换期是最容易发生座次变化的窗口。

第二，常规 DRAM / NAND 的合约价。 这是判断"产能被 HBM 抽走"这个机制是否还在生效的直接指标。合约价一旦连续下跌，说明供需关系反转，模组厂的库存风险就来了。

第三，存储厂的资本开支。 扩产意味着两年后供给增加。现在的涨价周期有多长，取决于三家原厂在扩产这件事上有多克制——历史上它们总是一起扩，然后一起过剩下的日子。

数据口径：市值 = 主要上市地收盘价 × 总股本 × 本币兑美元汇率，统一美元计价，双重上市取主板。数据截至 2026-10-03，每个交易日自动更新。本文市值数字随行情变动，请以页面榜单实时数据为准。